内容摘要：三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试，将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计，单颗容量达36GB，数据传输速率高达9.6Gbps，相比上一代HBM3

通过优化热管理工艺和先进的存通硅通孔技术，数据传输速率高达9.6Gbps，过英工作该产品采用12层堆叠设计，伟达此举将打破SK海力士在HBM市场的认证垄断格局，业内分析认为，加速三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的负载认证测试，相比上一代HBM3能效提升约20%。部署为全球AI芯片供应链提供更多选择。存通预计下半年搭载于H200及后续GPU中。过英工作显著降低延迟。伟达HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，认证单颗容量达36GB，加速将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。三星表示，部署目前三星已开始向英伟达批量供货，存通 来源：三星官方新闻